Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, DIP, 6 вывод(-ов), 4.17 кВ, Не Пересекающий Ноль, 600 В Новинка...
182 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 4.17 кВ, Не Пересекающий Ноль, 600 В Новинка...
181 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 4.17 кВ, Пересекающий Ноль, 600 В...
129 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 4.17 кВ, Не Пересекающий Ноль, 800 В Новинка...
138 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 4.17 кВ, Не Пересекающий Ноль, 800 В Новинка...
190 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 4.17 кВ, 1000 %.The MOC8021M are photodarlingtontype optically coupled optocouplers. The devices have a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington phototransistor.No base connection for improved noise immunity High current ..
76 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, 1 канал, Поверхностный Монтаж DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 4.17 кВ, 1000 % Новинка...
79 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Оптопара, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 80 мА, 4.17 кВ, 20 %.MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line packa..
143 ₽