Меню
Корзина

Транзисторы - МОП-транзисторы

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом, 10 В, 4 В...
1 525 ₽
Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А, 600 В, 0.094 Ом, 10 В, 4 В...
841 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 1.5 кВ, 6 Ом, 10 В, 4 В...
713 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 200 В, 0.038 Ом, 10 В, 3 В...
558 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 650 В, 0.07 Ом, 10 В, 4 В...
1 368 ₽
Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 34 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 4 В...
980 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 600 В, 0.075 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 550 В, 100 мОм, 10 В, 4 В.The STW45NM50 is a 550V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, hig..
1 717 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 500 В, 100 мОм, 10 В, 4 В...
0 ₽
Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 40 А, 600 В, 0.065 Ом, 10 В, 4 В...
1 163 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 39 А, 600 В, 0.055 Ом, 10 В, 3.2 В...
1 033 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1.5 кВ, 7 Ом, 10 В, 4 В.The STW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per a..
945 ₽
Показано с 2317 по 2328 из 2460 (всего 205 страниц)