Меню
Корзина

3N163-E3

3N163-E3
Free
3N163-E3
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
В корзину

МОП-транзистор, P Канал, 50 мА, -40 В, 180 Ом, -20 В, -2.5 В.


The 3N163-E3 is a -40V P-channel Enhancement Mode MOSFET designed for analogue switch and pre-amplifier applications where high speed and low parasitic capacitances are required.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)To Be Advised
Количество Выводов4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)-20В
Напряжение Истока-стока Vds-40В
Непрерывный Ток Стока50мА
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs-2.5В
Рассеиваемая Мощность375мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)180Ом
Стиль Корпуса ТранзистораTO-206AF
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-