SI4564DY-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
326 ₽
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 10 А, 40 В, 0.0145 Ом, 10 В, 800 мВ.
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0145Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |