Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.8 А, 40 В, 29.5 мОм, 10 В, 1.4 В.
The SI4599DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display and full bridge converter applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 6.8А |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0295Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |