SI9933CDY-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
60 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А, -20 В, 48 мОм, -4.5 В, -1.4 В.
The SI9933CDY-T1-GE3 is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -4А |
| Полярность Транзистора | Двойной P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |