
SI9945BDY-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
115 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.3 А, 60 В, 46 мОм, 10 В, 2.5 В.
The SI9945BDY-T1-GE3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in LCD TV CCFL inverter and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 5.3А |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 3.1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.046Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |