Меню
Корзина

SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY-T1-GE3
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
115 ₽
В корзину

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.3 А, 60 В, 46 мОм, 10 В, 2.5 В.


The SI9945BDY-T1-GE3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in LCD TV CCFL inverter and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)To Be Advised
Количество Выводов8вывод(-ов)
Линия Продукции-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока5.3А
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Рассеиваемая Мощность3.1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.046Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный