
МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В.
The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 5.6А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 43Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |