МОП-транзистор, P Канал, -6.5 А, -200 В, 800 мОм, -10 В, 4 В.
The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
| Характеристики | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -200В |
| Непрерывный Ток Стока | -6.5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 74Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |