STP4N150
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
1 188 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1.5 кВ, 5 Ом, 30 В, 4 В.
The STP4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.5кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 160Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |