STW20NM60
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
514 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.25 Ом, 10 В, 4 В.
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |