VNP10N07-E
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
363 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 70 В, 100 мОм, 10 В, 3 В.
The VNP10N07-E is a monolithic device fully auto protected Power MOSFET with ESD protection. The VNP10N07 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50kHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 70В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |