VNS1NV04DP-E
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ.
The VNS1NV04DP-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | - |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 500мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 4Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |