NGD18N40ACLBT4G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
БТИЗ транзистор, 18 А, 1.8 В, 115 Вт, 400 В, TO-252, 3 вывод(-ов).
The NGD18N40ACLBT4G is a 400V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 18А |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 400В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |