NGTB25N120IHLWG
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
БТИЗ транзистор, 50 А, 1.85 В, 192 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов).
The NGTB25N120IHLWG is a 1200V (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT features a robust and cost effective Field Stop (FS) trench construction. It provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged freewheeling diode with a low forward voltage.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |