![Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8 Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8](https://active-tel.ru/image/cache/catalog/products/802949-550x550.jpg)
Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
- Артикул: KVR16E11/8
9 610 ₽
Оперативная память Kingston 8Gb DDR3 1600MHz (PC3-12800) 1600MHz ECC DIMM, KVR16E11/8 доступен для заказа. Вы можете купить модуль оперативной памяти KVR16E11/8 по самой низкой цене. Также вы можете оформить доставку памяти по России и СНГ.
Характеристики:
1 модуль памяти DDR3.
Объем модуля: 8 Гб.
Форм-фактор DIMM, 240-контактный.
Частота: 1600 МГц.
Поддержка ECC: да.
CAS Latency (CL): 11.
Тип памяти: DDR3.
Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Тактовая частота: 1600 МГц.
Пропускная способность: 12800 Мб/с.
Объем: 1 модуль 8 Гб.
Поддержка ECC: есть.
Буферизованная (Registered): нет.
Низкопрофильная (Low Profile): нет.
CAS Latency (CL): 11.
RAS to CAS Delay (tRCD): 11.
Row Precharge Delay (tRP): 11.
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка.
Напряжение питания: 1.5 В.
Количество ранков: 2.
Характеристики:
1 модуль памяти DDR3.
Объем модуля: 8 Гб.
Форм-фактор DIMM, 240-контактный.
Частота: 1600 МГц.
Поддержка ECC: да.
CAS Latency (CL): 11.
Тип памяти: DDR3.
Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Тактовая частота: 1600 МГц.
Пропускная способность: 12800 Мб/с.
Объем: 1 модуль 8 Гб.
Поддержка ECC: есть.
Буферизованная (Registered): нет.
Низкопрофильная (Low Profile): нет.
CAS Latency (CL): 11.
RAS to CAS Delay (tRCD): 11.
Row Precharge Delay (tRP): 11.
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка.
Напряжение питания: 1.5 В.
Количество ранков: 2.
Характеристики | |
Базовая единица | шт |
Объем модуля DRAM, Гб | 8 |
Поддержка ECC памяти | Да |
Производитель | Kingston |
Тип оперативной памяти | DDR3 |
Тип устройства | Память |