MTP2P50EG
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -500 В, 6 Ом, 10 В, -3 В.
The MTP2P50EG is a P-channel high voltage Power MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. It is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -500В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -3В |
| Рассеиваемая Мощность | 75Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |