MJ11028G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 300 Вт, 50 А, 400 hFE.
The MJ11028G is an NPN Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| DC Усиление Тока hFE | 400hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Вес | 14.99г |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 60В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-204 |