NSS60600MZ4T1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 100 МГц, 2 Вт, -6 А, 150 hFE.
The NSS60600MZ4T1G is a 6A PNP Bipolar Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is a combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Minimized power loss
- High DC current gain
- Very low current requirements
- High current-gain bandwidth product
- Ideal for high frequency designs
- Superior gain linearity
- Minimal distortion
- Halogen-free
- AECQ101 qualified and PPAP capable
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | -6А |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | Lead (27-Jun-2018) |
| Вес | 1г |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -60В |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 100МГц |