Биполярный транзистор, N Канал, 190 А, 100 В, 0.0054 Ом, 10 В, 3.3 В.
The VS-FB190SA10 is a 100V N-channel Power MOSFET, high current density power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design and very low on-resistance. The isolated package is preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately higher than 500W. The low thermal resistance and easy connection to the package contribute to its universal acceptance throughout the industry.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 190А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 568Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом |