МОП-транзистор

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 630 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 920 мВ.The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-..

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 630 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 920 мВ...

Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -880 мА, -20 В, 0.215 Ом, -4.5 В, -1.2 В...

P CHANNEL MOSFET, -20V, SOT-363...

Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 250 мА, 30 В, 1 Ом, 4.5 В, 1.2 В...

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SC-88...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 304 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.7 В.The NTJD5121NT1G is a dual N-channel Power MOSFET with ESD protection, low gate threshold and low input capacitance...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 295 мА, 60 В, 1 Ом, 10 В, 1.7 В...

МОП-транзистор, P Канал, 4.2 А, -20 В, 0.047 Ом, -4.5 В, -400 мВ...

МОП-транзистор, P Канал, 4.2 А, -20 В, 0.047 Ом, -4.5 В, -400 мВ...

МОП-транзистор, N Канал, 255 мА, 20 В, 1.6 Ом, 4.5 В, 1.3 В...