Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1.75 Вт, 8 А, 2500 hFE.The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-T..
113 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE...
103 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE...
59 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 1.75 Вт, -8 А, 12 hFE...
122 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 20 Вт, 5 А, 1000 hFE...
44 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE...
76 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 2500 hFE...
54 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 65 МГц, 12.5 Вт, 5 А, 70 hFE...
64 ₽