Меню
Корзина

ON SEMICONDUCTOR

Evaluation Board, Bluetooth Energy Harvesting Switch, RSL10 SiP, 2Mbps, Battery-less Новинка...
10 477 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -78 А, -60 В, 0.005 Ом, -10 В, -2.6 В...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -68 А, -75 В, 0.0065 Ом, -10 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 250 мА, 200 В, 4.5 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 2 В...
0 ₽
N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92...
0 ₽
Биполярный транзистор, PNP, -300 В, 15 МГц, 1.5 Вт, -100 мА, 30 hFE...
37 ₽
Биполярный транзистор, PNP, -300 В, 15 МГц, 1.5 Вт, -100 мА, 30 hFE...
23 ₽
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 800 мВт, 1 А, 1000 hFE...
45 ₽
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 800 мВт, 1 А, 1000 hFE...
37 ₽
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223...
24 ₽
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 8 мА, 80 мА, 4 В, SOT-23, JFET.The BSR58 is a N-channel JFET offers low-frequency and low-noise designed for low-power chopper or switching application.40V Drain-gate voltage -40V Gate-source voltage 50mA Forward gate current..
13 ₽
Показано с 1333 по 1344 из 10022 (всего 836 страниц)