Меню
Корзина

ON SEMICONDUCTOR

МОП-транзистор, P Канал, -80 А, -40 В, 0.0036 Ом, -10 В, -1.8 В...
193 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -65 А, -40 В, 0.0063 Ом, -10 В, -1.7 В...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -40 В, 0.011 Ом, -10 В, -1.8 В...
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -830 мА, -20 В, 0.28 Ом, -4.5 В, -700 мВ...
41 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 600 мА, 20 В, 0.24 Ом, 4.5 В, 1 В...
0 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 62 нКл, TO-263 Новинка.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse reco..
885 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 25 нКл, TO-263 Новинка.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recov..
979 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 20 А, 120 нКл, TO-263 Новинка.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse rec..
2 013 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 74 нКл, TO-263 Новинка.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recov..
883 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 1.2 кВ, 8 А, 55 нКл, TO-252.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characte..
675 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 34 нКл, TO-252.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characte..
406 ₽
Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 25 нКл, TO-252 Новинка.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recov..
472 ₽
Показано с 2233 по 2244 из 10022 (всего 836 страниц)