ON SEMICONDUCTOR

Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 20 А, 64 нКл, TO-220FP.Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching charac..

БТИЗ транзистор, траншейного типа, 60 А, 1.6 В, 238 Вт, 650 В, TO-3PN, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 120 А, 1.9 В, 600 Вт, 650 В, TO-3PN, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 94 Вт, 650 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов) Новинка...

БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 160 А, 1.78 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 4 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, траншейного типа, 80 А, 1.6 В, 238 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 120 А, 1.6 В, 333 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 150 А, 1.6 В, 455 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов) Новинка...