ON SEMICONDUCTOR

Биполярный транзистор, аудио, PNP, -250 В, 4 МГц, 200 Вт, -30 А, 20 hFE...

Биполярный транзистор, аудио, NPN, 250 В, 4 МГц, 200 Вт, 2 А, 20 hFE...

Биполярный транзистор, аудио, PNP, -250 В, 4 МГц, 200 Вт, -16 А, 20 hFE.The MJW21195G is a -250V Silicon PNP Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 250 В, 200 Вт, 16 А, 20 hFE.The MJW21196G is a 250V Silicon NPN Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications...

Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 12 hFE...

Диод Зенера, 10 В, 200 мВт, SOD-323F, 2 %, 2 вывод(-ов), 150 °C Новинка...

Диод Зенера, 10 В, 200 мВт, SOD-323F, 2 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...

Диод Зенера, 10 В, 200 мВт, SOD-323F, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...

Диод Зенера, 10 В, 300 мВт, SOD-323, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...

Диод Зенера, 10 В, 300 мВт, SOD-323, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...

Диод Зенера, 10 В, 300 мВт, SOD-323, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...

Диод Зенера, универсальный, 10 В, 300 мВт, SOD-323, 5 %, 2 вывод(-ов), 150 °C...