ON SEMICONDUCTOR

РЧ диод Шоттки, Двойной Последовательный, 5 В, 30 мА, 230 мВ, 0.69 пФ, SOT-23...

Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 500 мА...

Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 500 мА...

Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.2 В, 4 нс, 500 мА...

РЧ / PIN-диод, Двойной Последовательный, 4.5 Ом, 50 В, SOT-23, 3 Вывода, 0.23 пФ...

РЧ / PIN-диод, Двойной Последовательный, 2.5 Ом, 50 В, SOT-323, 3 Вывода, 0.23 пФ...

РЧ / PIN-диод, Двойной Последовательный, 2.5 Ом, 50 В, SOT-23, 3 Вывода, 0.23 пФ...

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 МГц, 115 Вт, 15 А, 2.5 hFE.The 2N3055AG is a 60V NPN complementary silicon Bipolar Transistor designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. It can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-to-DC c..

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 60 В, 2.5 МГц, 115 Вт, 15 А, 20 hFE.The 2N3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications...