МСню
ΠšΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Π°

ON SEMICONDUCTOR

Ѐиксированный стабилизатор с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, 13Π’ (Vin), 180ΠΌΠ’, 1.5Π’/50мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, -5...
27 β‚½
Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, фиксированный, макс. 7Π’, 140ΠΌΠ’, 1.8Π’/ 30мА, SOT-323-5...
36 β‚½
Ѐиксированный стабилизатор с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, 4Π’-7Π’ Π²Ρ…ΠΎΠ΄, 180ΠΌΠ’, 3.3Π’ ΠΈ 50мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄...
35 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора, полумостовой, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ 10Π’-20Π’, 500мА, 35нс, SOIC-8.The NCP5104DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper dri..
126 β‚½
IC, MOSFET/IGBT DRIVER, DUAL INPUT...
173 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора, высокой ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ сторон, 10Π’ - 20Π’ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, 250мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, 100нс Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°...
89 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора/Π‘Π’Π˜Π—, высокой ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ сторон, 10Π’ Π΄ΠΎ 20Π’, 500мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, 100нс...
175 β‚½
IC, MOSFET/IGBT DRIVER, DUAL INPUT...
0 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора, высокой ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ сторон, 10Π’ - 20Π’ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, 500мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, 100нс Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°...
108 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора, высокой ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ сторон, 10Π’ - 20Π’ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, 500мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, 100нс Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°...
0 β‚½
Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ МОП-транзистора, полумостовой, 10Π’ - 20Π’ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, 250мА Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, 100нс Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°, DFN-10...
215 β‚½
Π”Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€, полумостовой, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ 10Π’-20Π’, 500мА, Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° 100нс, SOIC-8.The NCP5111DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to ensure a proper d..
152 β‚½
Показано с 7261 ΠΏΠΎ 7272 ΠΈΠ· 10022 (всСго 836 страниц)