ON SEMICONDUCTOR

Усилитель видеосигнала, 1 усилитель(-ей), 120 МГц, 450 В/мкс, 0 °C, 70 °C, 10 мА...

БТИЗ транзистор, 18 А, 1.8 В, 115 Вт, 400 В, TO-252, 3 вывод(-ов).The NGD18N40ACLBT4G is a 400V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monoli..

БТИЗ транзистор, AEC-Q101, 20 А, 125 Вт, 440 В, TO-252, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 15 А, 440 В, 107 Вт, 440 В, TO-220, 3 вывод(-ов)...

БТИЗ транзистор, 9 А, 1.7 В, 49 Вт, 600 В, TO-252, 3 вывод(-ов)...