Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: PZT751T1G
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -60 В, 75 МГц, 800 мВт, -2 А, 40 hFE...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: PZTA14
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 125 МГц, 1 Вт, 1.2 А, 10000 hFE...
35 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: PZTA42T1G
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, 500 мА, 25 hFE...
14 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: PZTA92T1G
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, -50 мА, 40 hFE.The PZTA92T1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications...
16 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: QEB363GR
ИК излучатель, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 50 мА, 1.6 В, 1 мкс, 1 мкс...
36 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: QEE123
ИК излучатель, 50 °, Радиальные Выводы, 100 мА, 1.7 В, 900 нс, 800 нс...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: QRD1113
Отражающий фотопрерыватель, фототранзистор, THT, 1.27мм, 50мА, 5В обратное, 1.7В прямое.The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on..
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: QRD1114
Отражающий фотопрерыватель, фототранзистор, THT, 1.27мм, 50мА, 5В обратное, 1.7В прямое.The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on..
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Артикул: QRE1113
Отражающий фотопрерыватель, миниатюрный, фототранзистор, THT, 5мм, 50мА, 5В обратное, 1.2В прямое.The QRE1113 is a Miniature Reflective Object Sensor with photo transistor output. No contact surface sensing. Gull wing lead form. Through-hole 2lead form.-40 to 85°C Operating temperature..
0 ₽