ON SEMICONDUCTOR

Сравнение товаров0

Сортировка:

Показать:

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC557BZL1G

BC557BZL1G

Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 320 МГц, 625 мВт, 100 мА, 290 hFE...

20 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC557CG

BC557CG

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -45 В, 320 МГц, 1.5 Вт, -100 мА, 420 hFE.The BC557CG is a PNP silicon Bipolar Transistor. It is designed for use in linear and switching applications...

17 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC557CZL1G

BC557CZL1G

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -45 В, 320 МГц, 1.5 Вт, -100 мА, 420 hFE...

17 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC559BTA

BC559BTA

Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 150 МГц, 500 мВт, -100 мА, 200 hFE Новинка.The BC559BTA is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.Low noise Complement to BC549..

0 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC560CG

BC560CG

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -45 В, 250 МГц, 625 мВт, -100 мА, 100 hFE...

0 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC560CTA

BC560CTA

Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 150 МГц, 500 мВт, -100 мА, 420 hFE Новинка.The BC560CTA is a PNP epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.Low noise Complement to BC550..

0 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC638TA

BC638TA

Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 100 МГц, 1 Вт, 1 А, 40 hFE...

11 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC639-16ZL1G

BC639-16ZL1G

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 200 МГц, 800 мВт, 1 А, 100 hFE...

26 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC63916-D27Z

BC63916-D27Z

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 100 МГц, 830 мВт, 1 А, 25 hFE Новинка.The BC63916_D27Z is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use in switching and amplifier applications.-55 to 150°C Operating junction temperature range..

30 ₽

В корзину

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: BC639G

BC639G

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 200 МГц, 800 мВт, 1 А, 40 hFE.The BC639G is a NPN silicon high current Transistor, 80VDC collector-emitter voltage and collector-base voltage, 5VDC emitter-base voltage, designed for medium power applications...

0 ₽