ON SEMICONDUCTOR

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -60 В, 75 МГц, 800 мВт, -2 А, 40 hFE...

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 125 МГц, 1 Вт, 1.2 А, 10000 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, 500 мА, 25 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, 50 мА, 50 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, -50 мА, 50 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, -50 мА, 40 hFE.The PZTA92T1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications...

ИК излучатель, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 50 мА, 1.6 В, 1 мкс, 1 мкс...

ИК излучатель, 50 °, Радиальные Выводы, 100 мА, 1.7 В, 900 нс, 800 нс...

Отражающий фотопрерыватель, фототранзистор, THT, 1.27мм, 50мА, 5В обратное, 1.7В прямое.The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on..