МСню
ΠšΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Π°

ON SEMICONDUCTOR

Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 60 Π’, 2 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, SOD-123F, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 700 ΠΌΠ’ Новинка...
28 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 60 Π’, 2 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, DO-214AA, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 630 ΠΌΠ’.The SS26T3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a metal-to-silicon power rectifier. It features epitaxial construction with oxide passivation and met..
0 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, 60 Π’, 2 А, DO-214AA, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 630 ΠΌΠ’...
21 β‚½
SCHOTTKY RECTIFIER, 2A, 60V, 403A, FULL REEL...
0 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 30 Π’, 3 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, DO-214AB, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 550 ΠΌΠ’...
46 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 40 Π’, 3 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, SOD-123FA, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 500 ΠΌΠ’...
35 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 60 Π’, 3 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, SOD-123FA, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 750 ΠΌΠ’...
43 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 80 Π’, 3 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, DO-214AB, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 850 ΠΌΠ’...
53 β‚½
Биполярный транзистор, NPN, 25 Π’, 100 ΠœΠ“Ρ†, 1 Π’Ρ‚, 1.5 А, 85 hFE...
8 β‚½
Биполярный транзистор, PNP, -25 Π’, 200 ΠœΠ“Ρ†, 1 Π’Ρ‚, -1.5 А, 85 hFE...
6 β‚½
Биполярный транзистор, PNP, -20 Π’, 625 ΠΌΠ’Ρ‚, -500 мА, 144 hFE...
6 β‚½
Π’Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, 100 Π’, 2 А, ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ, DO-214AC, 2 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄(-ΠΎΠ²), 800 ΠΌΠ’...
37 β‚½
Показано с 9565 ΠΏΠΎ 9576 ΠΈΠ· 10022 (всСго 836 страниц)