STMICROELECTRONICS

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 А, 800 В, 13 Ом, 10 В, 3.75 В...

МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 60 В, 0.032 Ом, 10 В, 2.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 60 В, 32 мОм, 10 В, 4 В...

МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 200 В, 125 мОм, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 100 В, 30 мОм, 10 В, 2.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 12.5 А, 100 В, 33 мОм, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 200 В, 0.1 Ом, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 100 В, 0.033 Ом, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -30 В, 0.024 Ом, -10 В, -2.5 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.4 Ом, 10 В, 3.75 В.The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a..

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 620 В, 3 Ом, 10 В, 3.75 В...

МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В, 4.5 Ом, 10 В, 4 В...