Меню
Корзина

STMICROELECTRONICS

МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 55 В, 5 мОм, 10 В, 3 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В.The STP80NF55-08 from STMicroelectronics is a through hole, 55V N channel STripFET II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET designed in unique Single Feature Size strip based process, resulting transistor shows extremely high packing ..
362 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В...
282 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -80 А, -55 В, 18 мОм, -10 В, -3 В.The STP80PF55 is a P-channel STripFET™II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical..
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 4.6 мОм, 10 В, 2.5 В...
0 ₽
N CHANNEL MOSFET, 55V, 80A, TO-220...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 55 В, 0.006 Ом, 10 В, 1.6 В...
0 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 710 В, 0.56 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 800 В, 0.8 Ом, 10 В, 4 В...
290 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 0.6 Ом, 10 В, 4 В...
329 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 1 кВ, 1.85 Ом, 10 В, 3.75 В.The STP8NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistanc..
316 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 6.2 А, 800 В, 1.5 Ом, 10 В, 3.75 В...
364 ₽
Показано с 6793 по 6804 из 8949 (всего 746 страниц)