STMICROELECTRONICS

МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.175 Ом, 10 В, 4 В...

МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.168 Ом, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 0.19 Ом, 10 В Новинка...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 600 В, 0.168 Ом, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 19.5 А, 800 В, 0.19 Ом, 10 В, 4 В...

МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 500 В, 120 мОм, 10 В, 4 В.The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, hig..

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.135 Ом, 10 В, 3 В.The STW26NM60N is a 600V N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world..

МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.15 Ом, 10 В, 3 В...

Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 21 А, 600 В, 0.13 Ом, 10 В, 4 В...