STMICROELECTRONICS

Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 5.5В вход, 2.8А, 0.3Ом, 2 выхода, SOIC-8...

МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ...

Драйвер силовой нагрузки, OMNIFET III, силовой МОП-транзистор, 1 выход, 0.120Ом, 40В, 3.5А...

Драйвер силовой нагрузки, OMNIFET III, силовой МОП-транзистор, 1 выход, 0.06Ом, 40В, 6A, SOT-223-3...

Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 60В вход, 10А, 0.15Ом, 1 выход, TO-220AB-3...

МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 70 В, 100 мОм, 10 В, 3 В.The VNP10N07-E is a monolithic device fully auto protected Power MOSFET with ESD protection. The VNP10N07 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50kHz..

МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 80 В, 50 мОм, 10 В, 3 В.The VNP20N07-E is a 70V Fully Auto Protected Power MOSFET made using VIPower technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp pr..

МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 48 В, 35 мОм, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 55 В, 13 мОм, 5 В, 2.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 49 А, 42 В, 0.02 Ом, 10 В, 800 мВ...