Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

МОП-транзистор, P Канал, -100 А, -40 В, 0.0033 Ом, -10 В, -2 В...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -90 А, -40 В, 0.006 Ом, -10 В, -2 В...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -40 В, 0.011 Ом, -10 В, -1.9 В Новинка...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -25 А, -40 В, 0.017 Ом, -10 В, -1.8 В Новинка...
0 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -20 В, 0.09 Ом, -4.5 В, -700 мВ...
57 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 700 мА, 20 В, 0.3 Ом, 4.5 В, 1.2 В Новинка.The FDG6317NZ is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventi..
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -500 мА, -20 В, 0.58 Ом, -4.5 В, -900 мВ...
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 220 мА, 25 В, 2.6 Ом, 4.5 В, 850 мВ.The FDG6322C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been desi..
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 156 А, 150 В, 0.0048 Ом, 10 В, 4 В...
1 104 ₽
Диод слабых сигналов, Одиночный, 150 В, 200 мА, 1 В, 4 А Новинка.The FDLL300A is a high conductance low leakage Small Signal Diode for general usage and suitable for many different applications.Cathode is denoted with a black band -65 to 200°C Storage t..
6 ₽
Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 мА, 1 В, 3 мкс, 4 А...
8 ₽
Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 мА, 1 В, 4 А...
10 ₽
Показано с 3061 по 3072 из 12863 (всего 1072 страниц)