Полупроводники - Дискретные

Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 75 Вт, 24 А, 6.5 hFE.The HD1750FX is a 800V High Voltage NPN Power Transistor for high definition and new super-slim CRT displays. It is manufactured using diffused collector in planar technology adopting Enhance High Voltage Structure (EHVS1) developed to fit high..

Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 380 мВт, 200 мА, 200 hFE, SC-74...

Диод слабых сигналов, Тройной Изолирующий, 85 В, 100 мА, 1.2 В, 3 нс, 1 А...

Диод слабых сигналов, Тройной Изолирующий, 85 В, 100 мА, 1.2 В, 3 нс, 1 А...

SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 09X4345...

SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 09X4344...

Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 500 мА, 130 Ом, 0.012 соотношение...

МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В.The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness...

МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 100 В, 540 мОм, 10 В, 4 В...

МОП-транзистор, N Канал, 9.2 А, 100 В, 270 мОм, 10 В, 4 В.The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptanc..

N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, D2-PAK...