Полупроводники - Дискретные

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 50 МГц, 225 мВт, 50 мА, 400 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -150 В, 300 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -150 В, 300 МГц, 225 мВт, -500 мА, 50 hFE...

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -150 В, 300 МГц, 225 мВт, -500 мА, 50 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 140 В, 225 мВт, 600 мА, 250 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 140 В, 225 мВт, 600 мА, 250 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 160 В, 225 мВт, 600 мА, 30 hFE...

Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 160 В, 225 мВт, 600 мА, 80 hFE.The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified...

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 265 мВт, 60 мА, 30 hFE...

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE...

Биполярный транзистор, низкое VCE (насыщения), PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE...