Brand: VISHAY
Артикул: SI7459DP-T1-E3
МОП-транзистор, P Канал, -13 А, -30 В, 0.0056 Ом, -10 В, -3 В...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7460DP-T1-GE3
МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 11 А, 60 В, 0.008 Ом, 10 В, 3 В.The SI7460DP-T1-GE3 is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7461DP-T1-GE3..
МОП-транзистор, P Канал, 8.6 А, -60 В, 0.0115 Ом, -10 В, -3 В.The SI7461DP-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7463ADP-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -46 А, -40 В, 0.0083 Ом, -10 В, -2.3 В...
84 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7463DP-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -40 В, 0.0075 Ом, -10 В, -3 В...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7465DP-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, 3.2 А, -60 В, 0.051 Ом, -10 В, -3 В...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SI7469DP-T1-E3
МОП-транзистор, P Канал, -28 А, -80 В, 0.021 Ом, -10 В, -3 В.The SI7469DP-T1-E3 is a -80V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A...
0 ₽
