Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: VISHAY Артикул: SIR172DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В, 0.0074 Ом, 10 В, 2.5 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR180DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 60 В, 0.0017 Ом, 10 В, 3.6 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR182DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 60 В, 0.0023 Ом, 10 В, 3.6 В...
156 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR184DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 73 А, 60 В, 0.0047 Ом, 10 В, 3.4 В.Designed for efficient power conversion in systems over 150 W with very low gate charge and output capacitance...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR186DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 60 В, 0.0037 Ом, 10 В, 3.6 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR188DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 60 В, 0.0032 Ом, 10 В, 3.6 В Новинка...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR316DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 25 В, 0.0054 Ом, 10 В, 1.2 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR401DP-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, 50 А, -20 В, 0.0025 Ом, -10 В, -600 мВ.The SIR401DP-T1-GE3 is a -20V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for adapter and battery switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the cap..
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR402DP-T1-E3
МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 30 В, 6 мОм, 10 В, 1.15 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR410DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 35A, 150DEG C, 36W...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR414DP-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO-8...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIR418DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 0.00415 Ом, 10 В, 2.4 В...
0 ₽
Показано с 6721 по 6732 из 10979 (всего 915 страниц)