Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: VISHAY Артикул: SIRA02DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 0.00165 Ом, 10 В, 1.1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA04DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 0.0018 Ом, 10 В, 1.1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO-8...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA10BDP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 0.0023 Ом, 10 В, 2.4 В Новинка...
45 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK SO-8...
73 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA12BDP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 0.0027 Ом, 10 В, 2.4 В Новинка...
54 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA12DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 30 В, 0.0032 Ом, 10 В, 1.1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, POWERPAK SO-8...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA18DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 30 В, 0.006 Ом, 10 В, 1.2 В...
39 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA20DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 25 В, 480 мкОм, 10 В, 2.1 В.The SiRA20DP's low on-resistance minimizes conduction power losses to improve system efficiency and enable higher power density, which is ideal for OR-ring functions in redundant power architectures...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA22DP-T1-RE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 25 В, 0.00063 Ом, 10 В, 2.2 В Новинка...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SIRA24DP-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 25 В, 0.00115 Ом, 10 В, 2.1 В...
58 ₽
Показано с 6805 по 6816 из 10979 (всего 915 страниц)