Полупроводники - Дискретные

МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 200 В, 65 мОм, 10 В, 4.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В...

MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W...

МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 100 В, 0.028 Ом, 10 В, 4 В...

N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL REEL...

МОП-транзистор, N Канал, 27.5 А, 100 В, 19500 мкОм, 10 В, 1.2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 27.8 А, 100 В, 0.017 Ом, 10 В, 1.5 В.The SI7456DDP-T1-GE3 is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for telecom and server applications. Used in DC/DC primary side switch and synchronous rectification circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are ..

МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 100 В, 21 мОм, 10 В, 2 В...

МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 11 А, 60 В, 0.008 Ом, 10 В, 3 В.The SI7460DP-T1-GE3 is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile...