Полупроводники - Дискретные

Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 6 А, Двойной Общий Катод, 1.2 В, 35 нс, 50 А...

Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 200 МГц, 1.5 Вт, -600 мА, 50 hFE...

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 75 МГц, 800 мВт, 2 А, 40 hFE...

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 50 МГц, 1.5 Вт, 500 мА, 25 hFE...

МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -60 В, 0.23 Ом, -10 В, -2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 440 мА, 60 В, 0.8 Ом, 1.5 В, 600 мВ.New AEC-Q101 automotive MOSFETs ffrom Vishay are manufactured on a dedicated process flow to instill ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the Vishay Siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistan..

МОП-транзистор, P Канал, -3.9 А, -20 В, 0.08 Ом, -4.5 В, -450 мВ...

МОП-транзистор, P Канал, -3.9 А, -20 В, 0.08 Ом, -4.5 В, -1.5 В.New AEC-Q101 automotive MOSFETs ffrom Vishay are manufactured on a dedicated process flow to instill ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the Vishay Siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resis..

МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 0.125 Ом, 10 В, 2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 0.125 Ом, 10 В, 2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 0.024 Ом, 4.5 В, 600 мВ...