Полупроводники - Дискретные

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -30 В, 0.024 Ом, -10 В, -2.5 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.4 Ом, 10 В, 3.75 В.The STD2HNK60Z-1 is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a..

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 620 В, 3 Ом, 10 В, 3.75 В...

МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В, 4.5 Ом, 10 В, 4 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.85 А, 1 кВ, 6.25 Ом, 10 В, 3.75 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.4 А, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3.75 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.05 А, 900 В, 5 Ом, 10 В, 3.75 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.1 А, 900 В, 5 Ом, 10 В, 3.75 В...

МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 60 В, 0.019 Ом, 10 В, 2.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 60 В, 0.022 Ом, 2.5 В, 1.7 В.The STD30NF06LT4 is a N-channel STripFET™II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less crit..

МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 60 В, 20 мОм, 10 В, 4 В...