Brand: STMICROELECTRONICS
Драйвер МОП-транзистора, низкой стороны, питание 3.5В-5.5В, задержка 12мкс, SOIC-8.The VNL5300S5-E is an OMNIFET III fully protected Low-side Driver made using STMicroelectronics® VIPower® technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side connected to the battery. Built-in ..
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 5В вход, 2.8А, 0.3Ом, 1 выход, SOIC-8...
121 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 5.5В вход, 18А, 0.09Ом, 2 выхода, SOIC-8...
271 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Драйвер МОП-транзистора, низкой стороны, питание 4.5В-5.5В, задержка 3мкс, SOIC-8...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 5.5В вход, 2.8А, 0.3Ом, 2 выхода, SOIC-8...
233 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ.The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvolta..
140 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Драйвер силовой нагрузки, OMNIFET III, силовой МОП-транзистор, 1 выход, 0.120Ом, 40В, 3.5А...
223 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Драйвер силовой нагрузки, OMNIFET III, силовой МОП-транзистор, 1 выход, 0.06Ом, 40В, 6A, SOT-223-3...
231 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Переключатель распределения нагрузки, низкой стороны, 60В вход, 10А, 0.15Ом, 1 выход, TO-220AB-3...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 70 В, 100 мОм, 10 В, 3 В.The VNP10N07-E is a monolithic device fully auto protected Power MOSFET with ESD protection. The VNP10N07 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50kHz..
340 ₽