Микроэлектроника

ИК излучатель, 80 °, 1206, 20 мА, 1.9 В, 10 нс, 10 нс...

IR EMITTING DIODE, 940NM, SMD...

ИК излучатель, 80 °, 1206, 20 мА, 1.9 В, 10 нс, 10 нс...

ИК излучатель, 18 °, SMD, 70 мА, 1.7 В, 10 нс, 10 нс...

IR EMITTER HIGH SPEED SL 1.2mm 940nm-e4 17X9451...

ИК излучатель, высокоскоростной, 60 °, 0805, 100 мА, 10 нс, 10 нс...

INFRARED DIODE, 850NM, 0805, SMD...

ИК излучатель, 120 °, 0805, 100 мА, 1.9 В, 10 нс, 10 нс...

ИК излучатель, высокоскоростной, 120 °, 0805, 100 мА, 10 нс, 10 нс.The VSMY1850X01 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and ..

ИК излучатель, 120 °, 0805, 100 мА, 1.8 В, 10 нс, 10 нс...

ИК излучатель, высокоскоростной, 10 °, 100 мА, 1.9 В, 10 нс, 10 нс...