МОП-транзисторы

MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3.8A, 150DEG C...

Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -60 А, -30 В, 0.0045 Ом, -10 В, -2.2 В...

Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -60 А, -30 В, 0.0045 Ом, -10 В, -2.2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 8 В, 0.015 Ом, 4.5 В, 800 мВ...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 8 А, 20 В, 0.015 Ом, 4.5 В, 1.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.0142 Ом, 10 В, 4 В Новинка...

МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 0.046 Ом, 10 В, 4 В Новинка...

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -8 В, 0.013 Ом, -4.5 В, -800 мВ...

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.015 Ом, -4.5 В, -1.2 В.The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.New thermally enhanced PowerPAK® package Small footprint area Low ON-resistance ..