Оперативная память

Технические характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge D..

Оперативная память Kingston ValueRAM Registered DDR3 DIMM 4 Гб PC3-10600 доступна для заказа. Купить модуль памяти KVR1333D3D8R9S/4G по самой низкой цене вы можете на нашем сайте. Также доступна доставка в любой регион России. Характеристики: Объем памяти     4 Гб Тип памяти DDR3 Registered Частот..

Оперативная память Kingston KVR1333D3LD4R9S/16G Объем модуля 16 Гб Тип памяти DDR3 RDIMM Частота работы     1333 МГц Тайминги 9-9-9 Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR3 ECC DIMM 8 Гб PC3-12800 KVR16E11/8I Объем модуля памяти     8 Гб Тип памяти DDR3 ECC Частота функционирования до 1600 МГц Стандарт памяти     PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Memory rank Dual rank Тайминги 11-11-11 Напряжение питания     1.5 В..

Технические характеристики Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 4 модуля по 16 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Prech..

модуль памяти DDR4 объем модуля 64 Гб форм-фактор LRDIMM, 288-контактный частота 2400 МГц поддержка ECC CAS Latency (CL): 17 Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряже..

Оперативная память Kingston KVR24R17D4/16 Объем модуля 16 Гб Тип памяти Registered DDR4 Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти     PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Пропускная способность памяти 19200 Мб/сек Латентность CL17 Тайминги 17-17-17 Напряжение питания 1.2 В..

Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G..

Оперативная память Kingston ValueRAM DDR3, KVR13LR9S4L/8 Линейка Value RAM Основные характеристики Стандарт DDR3 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 1333 МГц Пропускная способность 10660 Мб/с Поддержка ECC Есть Буфер..

Оперативная память Samsung 16GB DDR4-2666, M393A2K40CB2-CTD Объем модуля 16GB Тип памяти DDR4 RDIMM Скорость     2666 Mbps Ранги 1R x 4 Напряжение работы     1.2 V..

Оперативная память Samsung 4GB DDR3 DIMM, M393B5170EH1-CH9..

Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M378B1G73QH0-CK0 Технические характеристики Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/сек Схема таймингов памяти 11-11-11 Рабочее напряжение 1...